Note | ||||
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Deposition of boron-doped polysilicon. Qualified for 150 mm wafers. Depositions require ~4 hours of overhead (in addition to deposition time) for temperature ramping and pump/purge cycles. |
Page properties | ||||||||||||||
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Contacts
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Process Gases
Process gas | Max Flow (MFC Range) |
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Silane 6.0 (SiH4) (D) | 200 sccm |
Boron Trichloride BCl3 (D) 3% | 50 sccm |
N2 BKFL | 5000 sccm |
N2 VAC | 1000 sccm |
Temperature Range
Zone | Min | Max |
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1 | 500 C | 700 C |
2 | 500 C | 700 C |
3 | 500 C | 700 C |
Standard Process Parameters
Temperature | ||||
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Pressure (mTorr) | ||||
Silane Flow | ||||
BCl3 Flow | ||||
Dep Rate |
Documents
Operating Procedure | |
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Hazard Assessment |
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Silane dust build up on exhaust side walls
Staff Documents
Drive Folder
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